激光誘導擊穿光譜（Laser-induced breakdown spectroscopy，簡稱LIBS）作為一種近年來隨著激光及光譜學技術的發(fā)展而快速興起的新型光學元素分析技術，具有快速實時、可原位檢測及可遠程測量等優(yōu)勢，被譽為“未來化學分析之星"。

其基本原理為當高能量的激光脈沖聚焦到樣品表面時，會使樣品表面的物質瞬間蒸發(fā)、電離，形成高溫、高密度的等離子體。這個等離子體包含了樣品中各種元素的離子和電子，這些離子和電子會在極短的時間內（一般在微秒級）發(fā)生復合和躍遷等過程，從而發(fā)射出具有特定波長的光子。這些光子的波長與等離子體中元素的種類有關，不同元素會發(fā)射出不同波長的光，形成特征光譜。LIBS是通過分析其特征發(fā)射光譜來分析樣品物性的一種表征手段。

在 LIBS 技術的發(fā)展過程中，探測器的性能對于整個系統(tǒng)的探測能力起著至關重要的作用。IsCMOS作為一種先進的探測器，其時間分辨和光子增益功能為 LIBS 技術帶來了顯著的性能提升，使其能夠采集混合在連續(xù)背景中的瞬態(tài)微弱信號，更好地滿足各種復雜分析任務的需求。

大連理工大學等離子體學科研究中心依托于大連理工大學物理學院、等離子體物理國家重點學科、三束材料改性教育部重點實驗室，致力于磁約束核聚變壁材料LIBS應用研究和激光燒蝕基本物理研究。是國內率*開展先進光譜等離子體診斷研究的團隊之一，發(fā)展了多種激光光譜診斷平臺，如激光誘導擊穿光譜技術（LIBS）、激光誘導熒光光譜技術（LIF）、激光湯姆遜散射技術（TS）、光腔衰蕩光譜技術（CRDS）、激光散斑干涉技術（LSI）、太赫茲光譜診斷技術（THz）、飛行時間質譜（TOF），其中多項技術處于國內*先地位。

李聰，大連理工大學物理學院，副教授、博士生導師、大連市先進聚變能源重點實驗室副主任、大連市高層次人才“高*人才"、大連市“青年科技之星"、中國博士后基金特別資助獲得者。參與重大科研項目10余項，獲遼寧省自然科學二等獎（排二）。在國際知*期刊發(fā)表SCI論文70余篇（第一/通訊20余篇）、授權中國發(fā)明專*10余項、美國發(fā)明專*1項。

近日，在大連理工大學等離子體學科研究中心李聰教授的邀請下，將卓立漢光自制的IsCMOS像增強型相機搭配全新推出的Omni-λ300s“影像譜王"光柵光譜儀應用到李聰教授的LIBS系統(tǒng)中，結果如下：

Cu原子在delay:200ns，width：5us下的發(fā)射譜線：

Mo原子在delay:250ns，width：5us下的發(fā)射譜線：

上述數(shù)據利用卓立漢光全新推出的IsCMOS采集，采用高效超快像增強器，配合＞95%量子效率制冷型IsCMOS相機，可實現(xiàn)低噪聲、超快門控拍照。上述特性使其在 LIBS 應用中能夠實現(xiàn)時間分辨光譜采集。

在 LIBS 過程中，等離子體的形成和演化是一個動態(tài)過程，不同時刻等離子體的溫度、電子密度等物理參數(shù)以及元素的發(fā)射光譜特征都有所不同。通過精確控制 IsCMOS的門控時間，可以選擇在等離子體發(fā)射光譜信號*強、干擾最小的特定時刻進行采集。例如，在等離子體形成后的極短時間內，可能存在較強的連續(xù)背景輻射，而經過一定時間延遲后，元素的特征譜線發(fā)射會更加明顯且背景干擾降低。IsCMOS能夠根據這一特性，靈活設置門控延遲時間和門寬，獲取不同時間階段的光譜信息，深入研究等離子體的演化過程，進而更精準地分析樣品的元素組成和含量，為 LIBS 技術在動態(tài)過程監(jiān)測和瞬態(tài)現(xiàn)象研究等方面提供了有力手段。

IsCMOS具有超快光學門寬，＜3ns陰極光學門寬，內置精度＜10ps門寬控制器。下圖為門寬遞進10ps掃描納秒光源圖譜。

下圖為延時遞進200ps掃描納秒光源圖譜。

制冷型IsCMOS，芯片制冷溫度低于環(huán)境35℃，有效降低芯片暗噪聲。下圖為IsCMOS*低背景基線。

IsCMOS具有2048*2048像素陣列，這使得它能夠在 LIBS 光譜采集過程中實現(xiàn)高光譜分辨率。在 LIBS 分析中，不同元素的特征譜線往往非常接近，高光譜分辨率能夠清晰地分辨這些譜線，從而準確地識別出樣品中所含的各種元素及其含量。例如，對于一些過渡金屬元素，其相鄰的發(fā)射譜線可能僅有零點幾納米的波長差，IsCMOS可以精確地捕捉到這些細微的差異，為元素的精確分析提供了有力保障。

下圖為IsCMOS配合卓立全新推出的Omni-λ300S光譜儀，在保證紫外高通光量的前提下，在@2400g/nm光柵時測試分辨率可達0.05nm。此外軟件上優(yōu)化了校正算法，多峰譜線波長校準，校準后汞燈各峰值精準度＜±0.2nm @1200g/nm。